活動回顧| 2025 宇喜科技企業轉型智造論壇-季華站舉辦圓滿結束

當前，中國半導體產業正經曆“自主可控”的關鍵轉型。國產設備全球份額首破40%，但高端製程熱管理、良率提升、第三代半導體工藝仍是痛點。對急需解決的事情宇喜科技YuxiTech仿真技術專家團隊聯合季華實驗室專家特別舉辦“半導體仿真技術峰會暨多物理場仿真應用”活動。

1.方案介紹

宇喜科技仿真技術總監吳京倫為我們演講了《宇喜科技半導體行業335戰略合作解決方案》，分享了宇喜科技遵照兩化融合國標文件指導的信息化落地方法論。本次方案分享著重於仿真模擬技術的特色服務，可以使得企業更全、更快、更準的應用仿真模擬技術。

最後公布了季華實驗室半導體研究部與宇喜科技聯合推廣的仿真|測試|優化三位一體解決方案。為企業提供從設計初期的方案選型到打樣生產的全研發生產流程仿真模擬服務。除了獲得最專業的仿真報告之外，還能獲取迭代升級優化建議。

2.案例展示

2.1 季華實驗室半導體裝備研究組-黃星星老師案例分享

（1）大功率電源散熱仿真算例分享

通過熱力學仿真，以風扇的轉速、水流量和翅片的厚度三個變量為參數優化。研究結果表明，水的流量對散熱的影響比較顯著，其餘兩個變量則從物料成本方面考慮。這次研究成果可以作為企業知識庫應用於別的研發項目。

（2）等離子體仿真技術分享

-遠程等離子源諧振腔仿真優化

使用電磁仿真技術，通過以放電管的厚度參數為優化對象，提出了一種基於點火和工作狀態下電場仿真的參數優化方法。分別以在不同厚度下，兩種狀態的對應比值來判斷電場分布的均衡性，從而選取出合適的厚度。該項仿真模擬在跟實驗平台的實測結果對比中擬合度非常高

-線形等離子源仿真優化

通過電磁仿真技術，以出氣豁口大小、驅動電壓的變化、電極的位置和大小、進氣口位置以及擴散區是否有擋板作為優化參數。另外還與流場模塊耦合，將流場模塊的結果作用於等離子模塊。研究結果表明，出氣口豁口的大小和擴散區域是否有擋板兩個參數對結果影響較大，其餘參數則以成本方面進行考慮。

（3）SiC拋光機產品關鍵功能仿真案例集分享

通過靜力學分析拋光機的基座在受力後形變的變化以及應力的分布情況，從而可以對形變大、應力集中的地方進行針對性的優化和整改，而對於形變與應力較小的部分，可以進行適當的減重，節約成本。

2.2 季華實驗室半導體裝備研究組-陳浩老師案例分享

（1）MPCVD微波和流體耦合仿真算例分享

使用多物理場耦合仿真技術，解決了微波等離子體耦合效率及腔體設計優化問題。使用參數化仿真技術，找到了氣壓調控等離子體形態（體積增大）和電子密度（降低）的核心規律。同時仿真發現了基台形貌設計不當會引發次級等離子體，屏蔽主沉積區的問題。

（2）微波清洗機仿真算例分享

使用高頻電磁場仿真技術，解決了腔體打火風險驗證的問題，確認最大場強遠低於擊穿閾值。使用同技術找到了爐門縫隙漏波的關鍵位置和強度，證明其符合安全標準。同時仿真明確了優化屏蔽齒設計（間距/厚度為波長1/10-1/20）可進一步減少泄漏。

（3）電源多物理場耦合仿真算例分享

使用瞬態等離子體放電仿真技術，解決了點火器如何觸發ICP自持放電的機理問題。使用該技術找到了電子密度在表面快速聚集（30-200ns）並向反應器空間擴張的發展規律，最終實現穩定高效的ICP放電。

2.3 季華實驗室半導體裝備研究組-祝經明老師案例分享

（1）激光燒蝕工藝仿真算例分享

使用多相流熱耦合仿真技術，解決了透明金剛石激光加工易內部損傷的問題，驗證了金屬膜誘導自維持石墨化（MISG）方法的可行性。使用該技術找到了金屬塗層引發金剛石表面石墨化、激光燒蝕石墨層的材料相變路徑及擴展規律。

（2）分子沉積及粒子追蹤仿真算例分享

-分子束源爐沉積仿真

通過以分子束源爐技術為原理對分子流的仿真，觀察源料分子從坩堝中蒸發形成的分子流入射到上表面的通量分布情況，進而選取合適的襯底位置使得分子沉積均勻分布。

-磁過濾管仿真

為了解決電極起輝時形成的帶電大顆粒對所製備的薄膜性能的影響，提出了磁過濾的方法對這一問題進行解決。其原理是通過洛倫茲力對帶電粒子的運動軌跡產生偏移的效果，使其沒辦法沉積在薄膜上。

（3）TFT陣列電流體修複技術仿真算例分享

使用電場-流體耦合仿真技術，解決了高精度電流體打印修複TFT電路斷路的工藝可行性問題；使用該技術找到了針管參數、電壓、墨水特性及打印高度等關鍵工藝參數對泰勒錐形成及噴射過程的影響規律。

本次活動成功舉辦離不開各位老客戶對宇喜科技的支持與新客戶的熱情參與，宇喜科技將不忘初心，以客戶的需求為主導，盡心為每一個客戶提供最優質的服務。