活动回顾| 2025 宇喜科技企业转型智造论坛-季华站举办圆满结束

当前，中国半导体产业正经历“自主可控”的关键转型。国产设备全球份额首破40%，但高端制程热管理、良率提升、第三代半导体工艺仍是痛点。对急需解决的事情宇喜科技YuxiTech仿真技术专家团队联合季华实验室专家特别举办“半导体仿真技术峰会暨多物理场仿真应用”活动。

1.方案介绍

宇喜科技仿真技术总监吴京伦为我们演讲了《宇喜科技半导体行业335战略合作解决方案》，分享了宇喜科技遵照两化融合国标文件指导的信息化落地方法论。本次方案分享着重于仿真模拟技术的特色服务，可以使得企业更全、更快、更准的应用仿真模拟技术。

最后公布了季华实验室半导体研究部与宇喜科技联合推广的仿真|测试|优化三位一体解决方案。为企业提供从设计初期的方案选型到打样生产的全研发生产流程仿真模拟服务。除了获得最专业的仿真报告之外，还能获取迭代升级优化建议。

2.案例展示

2.1 季华实验室半导体装备研究组-黄星星老师案例分享

（1）大功率电源散热仿真算例分享

通过热力学仿真，以风扇的转速、水流量和翅片的厚度三个变量为参数优化。研究结果表明，水的流量对散热的影响比较显著，其余两个变量则从物料成本方面考虑。这次研究成果可以作为企业知识库应用于别的研发项目。

（2）等离子体仿真技术分享

-远程等离子源谐振腔仿真优化

使用电磁仿真技术，通过以放电管的厚度参数为优化对象，提出了一种基于点火和工作状态下电场仿真的参数优化方法。分别以在不同厚度下，两种状态的对应比值来判断电场分布的均衡性，从而选取出合适的厚度。该项仿真模拟在跟实验平台的实测结果对比中拟合度非常高

-线形等离子源仿真优化

通过电磁仿真技术，以出气豁口大小、驱动电压的变化、电极的位置和大小、进气口位置以及扩散区是否有挡板作为优化参数。另外还与流场模块耦合，将流场模块的结果作用于等离子模块。研究结果表明，出气口豁口的大小和扩散区域是否有挡板两个参数对结果影响较大，其余参数则以成本方面进行考虑。

（3）SiC抛光机产品关键功能仿真案例集分享

通过静力学分析抛光机的基座在受力后形变的变化以及应力的分布情况，从而可以对形变大、应力集中的地方进行针对性的优化和整改，而对于形变与应力较小的部分，可以进行适当的减重，节约成本。

2.2 季华实验室半导体装备研究组-陈浩老师案例分享

（1）MPCVD微波和流体耦合仿真算例分享

使用多物理场耦合仿真技术，解决了微波等离子体耦合效率及腔体设计优化问题。使用参数化仿真技术，找到了气压调控等离子体形态（体积增大）和电子密度（降低）的核心规律。同时仿真发现了基台形貌设计不当会引发次级等离子体，屏蔽主沉积区的问题。

（2）微波清洗机仿真算例分享

使用高频电磁场仿真技术，解决了腔体打火风险验证的问题，确认最大场强远低于击穿阈值。使用同技术找到了炉门缝隙漏波的关键位置和强度，证明其符合安全标准。同时仿真明确了优化屏蔽齿设计（间距/厚度为波长1/10-1/20）可进一步减少泄漏。

（3）电源多物理场耦合仿真算例分享

使用瞬态等离子体放电仿真技术，解决了点火器如何触发ICP自持放电的机理问题。使用该技术找到了电子密度在表面快速聚集（30-200ns）并向反应器空间扩张的发展规律，最终实现稳定高效的ICP放电。

2.3 季华实验室半导体装备研究组-祝经明老师案例分享

（1）激光烧蚀工艺仿真算例分享

使用多相流热耦合仿真技术，解决了透明金刚石激光加工易内部损伤的问题，验证了金属膜诱导自维持石墨化（MISG）方法的可行性。使用该技术找到了金属涂层引发金刚石表面石墨化、激光烧蚀石墨层的材料相变路径及扩展规律。

（2）分子沉积及粒子追踪仿真算例分享

-分子束源炉沉积仿真

通过以分子束源炉技术为原理对分子流的仿真，观察源料分子从坩埚中蒸发形成的分子流入射到上表面的通量分布情况，进而选取合适的衬底位置使得分子沉积均匀分布。

-磁过滤管仿真

为了解决电极起辉时形成的带电大颗粒对所制备的薄膜性能的影响，提出了磁过滤的方法对这一问题进行解决。其原理是通过洛伦兹力对带电粒子的运动轨迹产生偏移的效果，使其没办法沉积在薄膜上。

（3）TFT阵列电流体修复技术仿真算例分享

使用电场-流体耦合仿真技术，解决了高精度电流体打印修复TFT电路断路的工艺可行性问题；使用该技术找到了针管参数、电压、墨水特性及打印高度等关键工艺参数对泰勒锥形成及喷射过程的影响规律。

本次活动成功举办离不开各位老客户对宇喜科技的支持与新客户的热情参与，宇喜科技将不忘初心，以客户的需求为主导，尽心为每一个客户提供最优质的服务。